中关村在线消息:据外媒报道,三星电子宣布其10纳米(nm)FinFET工艺技术的产能正在稳步提升。目前为止,已经将70000多颗第一代LPE(低功耗早期)硅晶片交付给客户。与此同时,还将发力8nm和6nm工艺技术的研发。

三星电子执行副总裁JongshikYoon介绍,10nm第二代LPP版和第三代LPU版将分别在年底和明年进入批量生产。目前三星Exynos8895以及高通骁龙835处理器均采用10nm工艺制造。
除此之外,三星还宣布将在当前的工艺路线图上增加了8nm和6nm工艺技术,它们将“提供更大的可扩展性,性能和功耗优势”。据悉,8nm和6nm工艺的所有技术细节将在5月24日美国举行的三星铸造论坛上公布。