骁龙820凭借不错的性能及功耗表现，在今年的手机市场中刷足了存在感；下到双十一卖到900块钱的ZUK Z2，上到5000多块钱的BOOM7，它们都拥有这一颗共同的内心；除此之外，骁龙820也在VR一体机以及AR领域有着非常活跃的表现。
而实际上呢，它已经面世一年了，是时候让新的小兄弟来接替它的使命了。除开用来过度的小幅改进款821，大家更期待的是能够彻底取代82X系列产品的年度旗舰芯片；就在这样的背景前提上，高通并没有给我们带来一款以惯例命名的骁龙830，而是“越代命名”的新旗舰-骁龙835.
这颗骁龙835采用了三星最新的10纳米FinFet制程，与820所采用的14纳米FinFet制程相比；能够在减少30%芯片面积的前提下，性能增强27%，功耗降低40%。更小的芯片尺寸让手机的主板空间更加充足，同时也拥有更强的性能功耗比。
骁龙835带来的另一个变革，便是全新的QC4.0快速充电技术；在以往数年间，高通QC都是高电压低电流快充技术的主要代表；而在明年开始，高通QC也会开始拥抱与VOOC闪充类似的高电流充电。
QC4.0的最高功率将调整至28W，输出规格为5V/4.7A~5.6A和9V/3A；高通官方宣称QC4.0技术能达到“充电五分钟，通话5小时”的强力效果。除此之外，还能够兼容PD快速充电协议。
虽说QC4.0算是一项比较强力的痛点革新，但也带来了新的问题：市面上的USB线缆大都只能承受2A左右的电流；QC4.0面世后，这批占据市场主流的数据线，都会因为无法承受大电流而被迫淘汰掉。
目前为止，高通还尚未公布835的CPU与GPU规格，但市面普遍传言它将采用新的八核结构，以弥补820多线程能力较弱的短板；同时为了应付越来越普遍的VR与AR设备，想必也会提升GPU的性能规格。
而为了越来越普及的双摄手机，高通也势必会拿出针对双摄像头优化的ISP单元；此外835上也将采用新一代的X16通讯基带，将4G无线网络的下载速率提升到了1Gbps；当然这只是理论值，目前还没有运营商能够提供如此之快的下载服务。
至于我们何时能够买到搭载835芯片的安卓手机？高通并没有给出明确答复，只是说目前835已经开始投入量产；由于依然是由三星代工，想必明年上半年的三星S8依旧会独占大部分芯片产能；而国内的几大著名品牌想必也会进行一批“PPT首发”的争夺战，真正想要方便买到的话，可能也需要等到2017年中了。
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