近日，高通公司宣布与三星电子合作推出了下一代旗舰移动处理器 骁龙 835 ，而本次的芯片命名跳过了 骁龙 830 ，可能是营销方面的需要。
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本次 骁龙 835 最大的特点是采用了三星 10 nm FinFET 制造工艺，与上一代 14 纳米 FinFET 工艺的 骁龙 820 / 821 相比，三星 10 纳米工艺可以在减少高达 30% 的芯片尺寸的基础上，同时实现 27% 性能提升和降低 40% 的功耗。
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借助 10 纳米工艺制程，高通骁龙 835 处理器具备更小的 SoC 尺寸，同时可以让 OEM 厂商进一步优化移动设备的内部结构，比如增加电池电量或是实现更轻薄的设计等。
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另外，骁龙 835 还带来了 Quick Charge 4.0 快速充电标准，与上一代 QC 3.0 标准相比，其充电速度提升了 20% ，充电效率提升了 30% 。官方称，仅需充电 5 分钟就可以提供长达 5 小时的电池寿命。
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高通还强调 Quick Charge 4.0 使用了智能协商最佳电压（ Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV ）算法和热管理技术。该技术的最大特点在于，通过智能管理设备的充电电量，能有效防止过热问题，从而大大减少充电时爆炸的风险。
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比较遗憾的是，本次高通并没有公布该处理器的详细规格。但根据之前的曝光信息显示，其或将采用自家研制 Kryo 200 架构的八核心设计， GPU 将升级为 Adreno 540 ，内置 X16 基带，加入 LPDDR4X 内存，并且最高支持 8GB 运行内存。
目前骁龙 835 已经投入生产，预计搭载骁龙835的商用终端将于 2017 年上半年出货。
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