正当闪存芯片面临制程工艺发展瓶颈之际，3D NAND以一种星火燎原之势，成为存储发展的新希望。尤其是进入到2017年，以3D NAND Flash为核心开发的存储新品相继迸发，例如国内存储大厂影驰就以Toshiba 3D NAND，特别推出了全新ONE系列SSD。
关于3D NAND，网上已有丰富而详细的介绍，此刻再提似乎老生常谈，但深入挖掘，其仍有值得探讨和剖析的地方。其中有一点如果大家稍加留意就会发现，3D NAND目前主要应用于TLC闪存，在MLC和SLC闪存上则很少。此刻的你一定想问为什么。
在3D NAND出现之前，SSD虽然带来了前所未有的极速体验，但是价格与容量上的限制，让它难以完全取代HDD。所以SSD的普及，需要跨越价格与容量两座大山。
我们回到闪存类型上来。事物的自身属性，往往决定了其使用价值。在三大类型的闪存中，SLC和MLC闪存性能最好，生产成本最贵，所以这两类颗粒一般定位于高端或者企业级，受众人群比较有限。而TLC闪存虽然性能和寿命不及前两者，但在成本上占据明显优势，成为入门级别的首选。
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另外一方面，一个单元下，MLC和SLC闪存分别只可以存储2个信息和1个信息，而TLC闪存则达到了3个。换句话说，同样单元下TLC闪存所存储的信息最多。
▲内置TLC闪存颗粒
所以从价格和容量这两个角度进行考虑，TLC闪存最有机会成为SSD普及的内在核心。但这一切，最终还得要建立在TLC闪存寿命的延长和性能的稳定上。
提高TLC的使用寿命和稳定性，自然成为了闪存芯片厂商发力的重点。而3D NAND的出现，正好迎合了这样的需求。
3D NAND技术可以在不升级闪存芯片制程的前提下，透过立体堆叠设计，使单die拥有更高的存储密度，减少闪存的使用，从而达到增加容量、减少成本的目的。
除此之外，因为不用追求更先进的制程，意味着可以使用相对更旧的工艺来生产3D NAND闪存。这样的好处在于能大幅提高P/E擦写次数（制程越先进，寿命越短，反之则越长），电荷干扰的情况也因此大幅减少。
▲内置TLC闪存颗粒
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最终，3D NAND的到来，让原本口碑欠佳的TLC闪存焕发新生。并在低成本的3D NAND TLC Flash的支撑下，其产品售价快速逼近HDD，逐渐触及SSD价格甜蜜点，加速推动SSD的普及。
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